IRF4104和STD1NB80

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF4104 STD1NB80 IRF4104PBF

描述 TO-220AB N-CH 40V 120AN - CHANNEL 800V - 16ohm - 1A - DPAK / IPAK的PowerMESH MOSFET N - CHANNEL 800V - 16ohm - 1A - DPAK/IPAK PowerMESH MOSFETMOSFET,Infineon### 电动机控制 MOSFETInfineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。 ### 同步整流器 MOSFET同步整流 MOSFET 设备的组合,适用于交流-直流电源,支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

封装 TO-220-3 DPAK TO-220-3

引脚数 - - 3

极性 N-CH N-CH N-Channel

漏源极电压(Vds) 40 V 800 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 120A 1A 120A

耗散功率 140W (Tc) - 140 W

输入电容(Ciss) 3000pF @25V(Vds) - 3000pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 140W (Tc) - 140W (Tc)

额定功率 - - 140 W

漏源极电阻 - - 0.0043 Ω

阈值电压 - - 4 V

输入电容 - - 3000 pF

上升时间 - - 130 ns

额定功率(Max) - - 140 W

下降时间 - - 77 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-220-3 DPAK TO-220-3

长度 - - 10.67 mm

高度 - - 8.77 mm

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 - - Tube

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - - Silicon

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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