KSP8099和MPS8099G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSP8099 MPS8099G MPS8099

描述 晶体管放大器 Amplifier TransistorON SEMICONDUCTOR  MPS8099G  放大器晶体管0.625W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 80V Vceo, 0.5A Ic, 100 - 300 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Continental Device

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 TO-92 TO-92-3 -

频率 - 150 MHz -

额定电压(DC) - 80.0 V -

额定电流 - 500 mA -

针脚数 - 3 -

极性 NPN NPN -

耗散功率 - 625 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V -

热阻 - 83.3℃/W (RθJC) -

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A -

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @1mA, 5V -

额定功率(Max) - 625 mW -

直流电流增益(hFE) - 150 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 625 mW -

长度 - 5.2 mm -

宽度 - 4.19 mm -

高度 - 5.33 mm -

封装 TO-92 TO-92-3 -

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -

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