STW70N60M2和STW77N65M5

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STW70N60M2 STW77N65M5 SIHG73N60E-GE3

描述 N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源(LLC 转换器)。 其配置具有低栅极电荷,以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STW77N65M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 69 A, 650 V, 0.033 ohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 600V 73A 3Pin(3+Tab) TO-247AC

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定功率 450 W - -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.03 Ω 0.033 Ω 0.039 Ω

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 450 W 400 W 520 W

阈值电压 3 V 4 V 2 V

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 68A 69A -

上升时间 17 ns 22 ns -

输入电容(Ciss) 5200pF @100V(Vds) 9800pF @100V(Vds) 7700pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 450 W 400 W -

下降时间 9 ns 20 ns 180 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 450W (Tc) 400W (Tc) 520W (Tc)

输入电容 - - 7700pF @100V

漏源击穿电压 - - 600 V

热阻 - - 0.24℃/W (RθJC)

长度 15.75 mm 15.75 mm 15.87 mm

宽度 20.15 mm 5.15 mm 5.31 mm

高度 5.15 mm 20.15 mm 20.7 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 NLR NLR -

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