对比图
型号 IXFN34N80 IXFN50N80Q2 APT8014JLL
描述 SOT-227B N-CH 800V 34AIXFN50N80Q2 一个物料配4个螺丝SOT-227 N-CH 800V 42A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Screw Screw
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
引脚数 - 4 4
通道数 1 - -
漏源极电阻 240 mΩ - -
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 600 W 1135 W 595 W
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
漏源击穿电压 800 V - -
连续漏极电流(Ids) 34A 50A 42.0 A
上升时间 45 ns 25 ns 19 ns
输入电容(Ciss) 7500pF @25V(Vds) 13500pF @25V(Vds) 7238pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 600 W 890 W 595 W
下降时间 40 ns 13 ns 15 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 600W (Tc) 1135W (Tc) 595W (Tc)
额定电压(DC) - - 800 V
额定电流 - - 42.0 A
输入电容 - - 7.24 nF
栅电荷 - - 285 nC
额定功率 - 1135 W -
长度 38.2 mm 38.23 mm -
宽度 25.07 mm 25.42 mm -
高度 9.6 mm 9.6 mm -
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free