对比图



型号 PBSS4350T PBSS4350T,215 2SC2655L-O-AE3-R
描述 低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,NexperiaNXP PBSS4350T,215 , NPN 晶体管, 2 A, Vce=50 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装NPN SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Nexperia (安世) Nexperia (安世) UTC (友顺)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 3 3 -
封装 TO-236 SOT-23-3 -
最小电流放大倍数(hFE) 100 300 @1A, 2V -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 1.2 W 540 mW -
频率 - 100 MHz -
额定功率 - 0.3 W -
针脚数 - 3 -
耗散功率 - 1.2 W -
击穿电压(集电极-发射极) - 50 V -
额定功率(Max) - 540 mW -
直流电流增益(hFE) - 300 -
长度 3 mm 3 mm -
宽度 1.4 mm 1.4 mm -
高度 1 mm 1 mm -
封装 TO-236 SOT-23-3 -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 PB free 无铅 -
工作温度 - 150℃ (TJ) -