对比图
型号 FQPF2N60 FQPF2N60C
描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF2N60C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 600 V, 4.7 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - 3
额定电压(DC) 600 V 600 V
额定电流 1.60 A 2.00 A
漏源极电阻 4.70 Ω 4.7 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 28 W 23 W
输入电容 350 pF 235 pF
栅电荷 11.0 nC 12.0 nC
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 1.60 A 2.00 A
上升时间 25 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 350pF @25V(Vds) 235pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 28 W 23 W
下降时间 25 ns 28 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 28W (Tc) 23 W
针脚数 - 3
阈值电压 - 4 V
通道数 - 1
长度 10.67 mm 10.16 mm
宽度 4.7 mm 4.7 mm
高度 16.3 mm 9.19 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99
香港进出口证 - NLR