对比图
型号 CY7C1011DV33-10ZSXI IS61LV12816L-10TL IS61WV12816DBLL-10TLI
描述 RAM 存储器，Cypress Semiconductor### SRAM（静态随机存取存储器）INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS61LV12816L-10TL 芯片, SRAM, 高速异步型 128K x 16RAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 44 44 44
封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44
电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max) -
针脚数 44 44 -
位数 16 16 16
存取时间 10 ns 10 ns 10 ns
内存容量 250000 B 250000 B -
存取时间(Max) 10 ns 10 ns 10 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -40 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V
时钟频率 10.0 GHz - -
电源电压(Max) 3.6 V - 3.6 V
电源电压(Min) 3 V - 2.4 V
供电电流 - - 65 mA
封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44
长度 18.31 mm - 18.54 mm
宽度 10.058 mm - 10.29 mm
高度 1.194 mm - 1.05 mm
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -
ECCN代码 3A991.b.2.b EAR99 EAR99