PMV117EN和TN2106K1-G

对比图

型号 PMV117EN TN2106K1-G BS170

描述 PMV117EN N沟道MOSFET 30V 2.5A SOT-23/SC-59 marking/标记 WM1 低RDS/高饱和电流能力TN2106K1-G 编带t- Mosfet n Chan Enhan

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Microchip (微芯) NTE Electronics

分类 MOS管MOS管分立器件

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

额定功率 - 0.36 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 2.5 Ω -

耗散功率 - 0.36 W -

阈值电压 - 2 V -

漏源极电压(Vds) - 60 V -

上升时间 - 5 ns -

输入电容(Ciss) - 50pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 360 mW -

下降时间 - 5 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 360mW (Tc) -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -