对比图
型号 IRFL4310TRPBF STN2NF10 IRFL4310PBF
描述 场效应管, MOSFETSTMICROELECTRONICS STN2NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 100 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4 4
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
额定功率 - - 2.1 W
通道数 - 1 1
针脚数 - 4 4
漏源极电阻 200 mΩ 0.23 Ω 0.2 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 2.1 W 3.3 W 2.1 W
阈值电压 4 V 4 V 2 V
输入电容 - - 330pF @25V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 - 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 1.60 A 2.00 A 2.2A
上升时间 18.0 ns 10 ns 18 ns
输入电容(Ciss) 330pF @25V(Vds) 280pF @25V(Vds) 330pF @25V(Vds)
下降时间 - 3 ns 20 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 3.3W (Tc) 1W (Ta)
额定电压(DC) 100 V 100 V -
额定电流 2.20 A 2.00 A -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
额定功率(Max) 1 W 3.3 W -
产品系列 IRFL4310 - -
长度 - 6.5 mm 6.7 mm
宽度 - 3.5 mm 3.7 mm
高度 - 1.8 mm 1.7 mm
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
材质 - - Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2014/06/16 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
ECCN代码 - EAR99 -