对比图
描述 RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON射频与微波晶体管UHF移动应用程序 RF & MICROWAVE TRANSISTORS UHF MOBILE APPLICATIONSTrans RF BJT NPN 16V 8A 117000mW
数据手册 ---
制造商 Motorola (摩托罗拉) ST Microelectronics (意法半导体) NTE Electronics
分类 双极性晶体管分立器件
安装方式 - Surface Mount -
封装 - M111 -
额定电压(DC) - 16.0 V -
额定电流 - 8.00 A -
击穿电压(集电极-发射极) - 16 V -
增益 - 5.8 dB -
最小电流放大倍数(hFE) - 20 @1A, 5V -
额定功率(Max) - 117 W -
耗散功率 - - 117000 mW
工作温度(Max) - - 200 ℃
工作温度(Min) - - -65 ℃
耗散功率(Max) - - 117000 mW
封装 - M111 -
工作温度 - 200℃ (TJ) -
材质 - - Silicon
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 - Tray -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -