CY7C199C-12VXI和IS61C256AL-12JLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C199C-12VXI IS61C256AL-12JLI CY7C199-12VI

描述 IC SRAM 256Kbit 12NS 28SOJINTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)  IS61C256AL-12JLI  芯片, 存储器, SRAM, 256KB, 12NS, SOJ-2832K x 8静态RAM 32K x 8 Static RAM

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 28 28

封装 BSOJ-28 BSOJ-28 SOJ

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.50 V (max) -

工作电压 - 5 V -

针脚数 - 28 -

位数 - 8 -

存取时间 12.0 ns 12 ns -

内存容量 256000 B 32000 B -

存取时间(Max) - 12 ns -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V -

时钟频率 12.0 GHz - -

长度 - 18.54 mm -

宽度 - 7.75 mm -

高度 - 2.67 mm -

封装 BSOJ-28 BSOJ-28 SOJ

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Bulk Each Tube, Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 -

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