FCH47N60F和FCH47N60F_F085

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FCH47N60F FCH47N60F_F085

描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETON Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCH47N60F_F085, 47 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-247

引脚数 - 3

额定电压(DC) 600 V -

额定电流 47.0 A -

漏源极电阻 73.0 mΩ -

极性 N-Channel -

耗散功率 417W (Tc) -

输入电容 5.90 nF -

栅电荷 210 nC -

漏源极电压(Vds) 600 V -

漏源击穿电压 600 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 47.0 A -

输入电容(Ciss) 8000pF @25V(Vds) 5900pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 417 W -

耗散功率(Max) 417W (Tc) 417 W

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 TO-247-3 TO-247

长度 - 15.87 mm

宽度 - 4.82 mm

高度 - 20.82 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

ECCN代码 EAR99 -

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