对比图
型号 2N6770 JAN2N6770 IRF3710PBF
描述 12A, 500V, 6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543INFINEON IRF3710PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 100 V, 0.023 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Semelab Microsemi (美高森美) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 - TO-3 TO-220-3
极性 - N-CH N-Channel
耗散功率 - 4 W 200 W
漏源极电压(Vds) - 500 V 100 V
连续漏极电流(Ids) - 12A 57A
工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 4W (Ta), 150W (Tc) 200W (Tc)
额定功率 - - 200 W
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.023 Ω
阈值电压 - - 4 V
输入电容 - - 3130 pF
漏源击穿电压 - - 100 V
上升时间 - - 58 ns
输入电容(Ciss) - - 3130pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 200 W
下降时间 - - 47 ns
封装 - TO-3 TO-220-3
长度 - - 10.67 mm
宽度 - - 4.69 mm
高度 - - 8.77 mm
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 - - Tube
RoHS标准 - Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17