对比图
型号 IXFA130N10T2 IXTA130N10T IXFP130N10T
描述 TO-263AA 100V 130AN沟道 100V 130ATO-220 N-CH 100V 130A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3
引脚数 - 3 -
通道数 1 - -
漏源极电阻 9.1 mΩ - 9.1 mΩ
耗散功率 360W (Tc) 360 W 360W (Tc)
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V - 100 V
连续漏极电流(Ids) 130A - 130A
输入电容(Ciss) 6600pF @25V(Vds) 5080pF @25V(Vds) 5080pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 360W (Tc) 360W (Tc) 360W (Tc)
极性 - - N-CH
上升时间 - 47 ns -
下降时间 - 28 ns -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3
高度 - 4.5 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free