SI4174DY-T1-GE3和SI4682DY-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI4174DY-T1-GE3 SI4682DY-T1-GE3 SI4682DY-T1-E3

描述 MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOICMOSFET N-CH 30V 16A 8-SOICMOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SO-8 SO-8

引脚数 - - 8

耗散功率 2.5W (Ta), 5W (Tc) 2.5W (Ta), 4.45W (Tc) 2.5W (Ta), 4.45W (Tc)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

输入电容(Ciss) 985pF @15V(Vds) 1595pF @15V(Vds) 1595pF @15V(Vds)

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 5W (Tc) 2.5W (Ta), 4.45W (Tc) 2.5W (Ta), 4.45W (Tc)

极性 - - N-Channel

连续漏极电流(Ids) - - 16.0 A

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.9 mm -

高度 - 1.75 mm -

封装 SOIC-8 SO-8 SO-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台