BDW83C和BDW84C

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BDW83C BDW84C BDV64BG

描述 互补硅功率达林顿晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS互补硅功率达林顿晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORSON SEMICONDUCTOR  BDV64BG  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 125 W, -10 A, 1000 hFE

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-247-3 TO-218-3 TO-247-3

额定电压(DC) 100 V -100 V -100 V

额定电流 15.0 A -15.0 A -10.0 A

额定功率 150 W - -

极性 NPN - PNP, P-Channel

耗散功率 130 W - 125 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

最小电流放大倍数(hFE) 750 @6A, 3V 750 @6A, 3V 1000 @5A, 4V

额定功率(Max) 130 W 130 W 125 W

直流电流增益(hFE) 750 - 1000

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 130000 mW - 125000 mW

针脚数 - - 3

集电极最大允许电流 - - 10A

封装 TO-247-3 TO-218-3 TO-247-3

长度 - 15.2 mm 15.2 mm

宽度 - 4.9 mm 4.9 mm

高度 - 12.2 mm 12.2 mm

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2014/06/16 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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