对比图
型号 2N6796 JAN2N6796 JANTXV2N6796
描述 Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, TO-39, 3 PIN每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百五十七分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557Trans MOSFET N-CH 100V 8A
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Semicoa Semiconductor
分类 MOS管
引脚数 - 3 3
封装 - TO-39 TO-39
安装方式 - Through Hole -
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 800mW (Ta), 25W (Tc) 25000 mW
耗散功率 - 800mW (Ta), 25W (Tc) -
漏源极电压(Vds) - 100 V -
封装 - TO-39 TO-39
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 - Bulk -
RoHS标准 - Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Contains Lead -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -