对比图
描述 NPN 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管，NexperiaDIODES INC. FZT653 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 175 MHz, 2 W, 2 A, 200 hFE
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 - 4
封装 SOT-223 SOT-223 SOT-223
针脚数 4 - 4
极性 NPN - NPN
耗散功率 730 mW - 2 W
击穿电压(集电极-发射极) 150 V - 100 V
集电极最大允许电流 2A - 2A
直流电流增益(hFE) 240 - 200
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
最小电流放大倍数(hFE) 100 100 -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 1.45 W 1.45 W -
封装 SOT-223 SOT-223 SOT-223
长度 6.7 mm 6.7 mm -
宽度 3.7 mm 3.7 mm -
高度 1.8 mm 1.8 mm -
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) - Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
含铅标准 - PB free -