IRGB14C40LPBF和ISL9V3040P3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRGB14C40LPBF ISL9V3040P3 92-0235

描述 IGBT 超过 21A,Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用,具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能,带 IGBT### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  ISL9V3040P3  单晶体管, IGBT, 21 A, 1.25 V, 150 W, 400 V, TO-220AB, 3 引脚IGBT 430V 20A 125W TO220AB

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 125 W - -

针脚数 3 3 -

极性 N-Channel - -

耗散功率 125 W 150 W -

上升时间 2.40 µs 2.10 µs -

击穿电压(集电极-发射极) 430 V 430 V 430 V

热阻 1.2℃/W (RθJC) - -

额定功率(Max) 125 W 150 W 125 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

耗散功率(Max) 125 W 150 W -

额定电压(DC) - 400 V -

额定电流 - 21.0 A -

长度 10.54 mm 10.67 mm -

宽度 4.69 mm 4.7 mm -

高度 15.24 mm 16.3 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -40℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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