BZM55C11和PZU11B,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZM55C11 PZU11B,115 PDZ11B,115

描述 硅外延平面的Z-二极管 Silicon Epitaxial Planar Z-DiodesSOD-323F 11V 550mWSOD-323 11V 400mW

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

封装 MicroMELF SOD-323 SOD-323

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 2

耗散功率 500 mW 550 mW 0.4 W

稳压值 11 V 11 V 11 V

容差 - ±5 % ±2 %

正向电压 - 1.1V @100mA 1.1V @100mA

测试电流 - 5 mA 5 mA

正向电压(Max) - 1.1V @100mA 1.1V @100mA

额定功率(Max) - 310 mW 400 mW

耗散功率(Max) - 550 mW -

封装 MicroMELF SOD-323 SOD-323

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

温度系数 - 7.4 mV/K 7.4 MV/K

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