MJD31C和MJD31CT4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD31C MJD31CT4 MJD31CRLG

描述 低电压NPN功率晶体管 Low voltage NPN power transistorSTMICROELECTRONICS  MJD31CT4  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 15 W, 3 A, 10 hFEON SEMICONDUCTOR  MJD31CRLG  双极性晶体管, NPN, 100V D-PAK

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 3.00 A 3.00 A 3.00 A

针脚数 - 3 3

极性 - NPN NPN

耗散功率 15 W 15 W 15 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

最小电流放大倍数(hFE) 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V

额定功率(Max) 15 W 15 W 1.56 W

直流电流增益(hFE) - 10 10

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 15000 mW 1560 mW

频率 - - 3 MHz

集电极最大允许电流 - - 3A

长度 6.6 mm 6.6 mm -

宽度 6.2 mm 6.2 mm -

高度 2.4 mm 2.4 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台