JANS1N5551US和N5418

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANS1N5551US N5418 1N5551US

描述 Diode Switching 400V 5A 2Pin B-MELFRectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, HERMETICALLY SEALED, GLASS, G-4, 2 PINDiode Switching 400V 3A 2Pin

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Gulfsemi Semtech Corporation

分类 功率二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 2 - 2

封装 B-SQ-MELF-2 - SMT

正向电压 1.2 V - 1V @3A

反向恢复时间 2000 ns - 2000 ns

正向电流(Max) 5 A - 5 A

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

正向电流 5000 mA - -

封装 B-SQ-MELF-2 - SMT

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 Non-Compliant - Non-Compliant

含铅标准 - - Lead Free

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