BC857W,115和BC857W,135

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC857W,115 BC857W,135 BC857AW-7-F

描述 SC-70 PNP 45V 0.1ASC-70 PNP 45V 0.1ATrans GP BJT PNP 45V 0.1A 3Pin SOT-323 T/R

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-323-3 SOT-323-3 SOT-323-3

引脚数 3 - 3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 0.2 W 200 mW 0.2 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 125 @2mA, 5V 125 @2mA, 5V 125 @2mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 125 @2mA, 5V -

额定功率(Max) 200 mW 200 mW 200 mW

耗散功率(Max) 200 mW 200 mW 200 mW

频率 100 MHz - 200 MHz

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

封装 SOT-323-3 SOT-323-3 SOT-323-3

高度 1 mm - -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - - EAR99

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