IRF510PBF和IRF512

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF510PBF IRF512 IRF540N

描述 Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3N沟道功率MOSFET , 5.5 A, 60-100V N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V33A , 100V , 0.040 Ohm的N通道功率MOSFET 33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Vishay Intertechnology Fairchild (飞兆/仙童) Intersil (英特矽尔)

分类

基础参数对比

封装 TO-220 - -

封装 TO-220 - -

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台