对比图
型号 IXXX160N65B4 IXXX160N65C4 APT200GN60B2G
描述 Igbt 650V 310A 940W Plus247Igbt 650V 290A 940W Plus247场站IGBT Field Stop IGBT
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
击穿电压(集电极-发射极) 650 V 650 V 600 V
额定功率(Max) 940 W 940 W 682 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 940000 mW 940000 mW 682000 mW
耗散功率 - - 682000 mW
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99