BZX85C3V3-T和BZX85C3V3-TAP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX85C3V3-T BZX85C3V3-TAP BZX85C3V3RL

描述 Zener Diode1.3W,BZX85 系列,Vishay Semiconductor硅平面齐纳二极管(电源) 适用于稳定和削波电路的应用,带有高额定功率 ### 齐纳二极管,Vishay SemiconductorDO-41 3.3V 1W

数据手册 ---

制造商 Rectron Semiconductor Vishay Semiconductor (威世) TAK Cheong

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 2 2

封装 DO-41 DO-41 DO-41

耗散功率 - 1.3 W 1 W

稳压值 - 3.3 V 3.3 V

容差 - ±5 % -

额定功率 - 1.3 W -

击穿电压 - 3.30 V -

测试电流 - 80 mA -

额定功率(Max) - 1.3 W -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 1300 mW -

封装 DO-41 DO-41 DO-41

长度 - 4.1 mm -

宽度 - 2.6 mm -

高度 - 2.6 mm -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 - Cut Tape (CT) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -

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