IPI90R800C3和IPP90R800C3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPI90R800C3 IPP90R800C3 IPW90R800C3

描述 Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能900V,800mΩ,6.9A,N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-262-3 TO-220-3-1 TO-247-3

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 104 W 104 W 104 W

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V

连续漏极电流(Ids) 6.9A 6.90 A 6.90 A

上升时间 20 ns 20 ns 20 ns

输入电容(Ciss) 1100pF @100V(Vds) 1100pF @100V(Vds) 1100pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 104 W 104 W 104 W

下降时间 32 ns 32 ns 32 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 104 W 104W (Tc) 104W (Tc)

长度 10.2 mm 10.36 mm 16.13 mm

宽度 4.5 mm 4.57 mm 5.21 mm

高度 9.45 mm 15.95 mm 21.1 mm

封装 TO-262-3 TO-220-3-1 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - EAR99 -

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