对比图
型号 BQ4015MA-70 DS1250Y-70IND+ DS1250AB-70+
描述 512Kx8非易失SRAM 512Kx8 Nonvolatile SRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1250Y-70IND+ 芯片, 存储器, NVRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1250AB-70+ 芯片, 存储器, NVRAM
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)
分类 存储芯片RAM芯片存储芯片
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 32 32 32
封装 DIP-32 EDIP-32 DIP-32
电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V, 5.50 V (max) 4.75V (min)
针脚数 - 32 32
时钟频率 70.0 GHz 70.0 GHz -
存取时间 85 ns 70 ns 70 ns
内存容量 500000 B 500000 B 500000 B
工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃
电源电压 4.75V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V
电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.25 V
电源电压(Min) 4.75 V 4.5 V 4.75 V
存取时间(Max) 70 ns - -
长度 42.8 mm 44.2 mm -
宽度 18.42 mm 18.8 mm -
高度 9.53 mm 10.92 mm -
封装 DIP-32 EDIP-32 DIP-32
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown
包装方式 Tube Tube Each
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅