IXFH52N30P和IXFV52N30P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH52N30P IXFV52N30P IXTT52N30P

描述 N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备Trans MOSFET N-CH 300V 52A 3Pin(3+Tab) PLUS 220TO-268 N-CH 300V 52A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-268-3

引脚数 3 - 3

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 66 mΩ -

极性 - N-Channel N-CH

耗散功率 400 W 400 W 400 W

输入电容 - 3.49 nF -

栅电荷 - 110 nC -

漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V

漏源击穿电压 - 300 V -

连续漏极电流(Ids) - 52.0 A 52A

上升时间 - 22 ns 22 ns

输入电容(Ciss) 3490pF @25V(Vds) 3490pF @25V(Vds) 3490pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 400 W -

下降时间 - 20 ns 20 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 400W (Tc) 400W (Tc) 400W (Tc)

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-268-3

长度 16.26 mm - -

宽度 5.3 mm - -

高度 21.46 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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