对比图
型号 IXFN106N20 IXFN80N50Q3 APT5010JN
描述 SOT-227B N-CH 200V 106AN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备Trans MOSFET N-CH 500V 48A 4Pin SOT-227
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Screw Surface Mount Screw
引脚数 4 4 4
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227
漏源极电阻 20.0 mΩ 0.065 Ω -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 520 W 780 W -
阈值电压 - 6.5 V -
漏源极电压(Vds) 200 V 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 106 A 63A -
输入电容(Ciss) 9000pF @25V(Vds) 10000pF @25V(Vds) 5570pF @25V(Vds)
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 521W (Tc) 780W (Tc) 520000 mW
上升时间 80.0 ns - 25 ns
下降时间 - - 12 ns
额定电压(DC) 200 V - -
额定电流 106 A - -
额定功率 520 W - -
额定功率(Max) 520 W - -
长度 - 38.23 mm -
宽度 - 25.07 mm -
高度 - 9.6 mm -
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC版本 - 2016/06/20 -