AT45DB641E-MWHN-Y和AT45DB641E-MWHN2B-T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AT45DB641E-MWHN-Y AT45DB641E-MWHN2B-T AT45DB641E-MHN2B-T

描述 Adesto### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。闪存, DataFlash, 串行NOR, 64Mbit, 32K Pages x 256Byte, SPI, VDFN-8闪存, 串行NOR, 64 Mbit, SPI, UDFN, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 Adesto Technologies Adesto Technologies Adesto Technologies

分类 Flash芯片Flash芯片Flash芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 VDFN-8 VDFN-8 UDFN-8

工作电压 1.7V ~ 3.6V 1.7V ~ 3.6V 1.7V ~ 3.6V

针脚数 8 8 8

时钟频率 85 MHz 85 MHz 85 MHz

位数 8 8 8

存取时间(Max) 7 ns 7 ns 7 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 3.6V 1.7V ~ 3.6V 1.7V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) 1.7 V 1.7 V 1.7 V

供电电流 15 mA - 15 mA

高度 0.95 mm 0.95 mm -

封装 VDFN-8 VDFN-8 UDFN-8

长度 8.1 mm - -

宽度 6.1 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅

ECCN代码 3A991.b.1.a - 3A991.b.1.a

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