BSP149E6327和BSP149L6906

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP149E6327 BSP149L6906 BSP149H6327XTSA1

描述 Power Field-Effect Transistor, 0.48A I(D), 200V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PINMOSFET N-CH 200V 660mA SOT-223BSP149 系列 200 V 3.5 Ohm N沟道 SIPMOS® 小信号 晶体管-PG-SOT-223

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 晶体管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 4

封装 SOT-223 SOT-223 TO-261-4

额定功率 - - 1.8 W

通道数 - - 1

针脚数 - - 4

漏源极电阻 - - 1 Ω

极性 - N-Channel N-CH

耗散功率 - - 1.8 W

阈值电压 - - 1.4 V

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 140 mA 140 mA 0.66A

上升时间 3.4 ns - 3.4 ns

输入电容(Ciss) 326pF @25V(Vds) - 430pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 1.8 W

下降时间 21 ns - 21 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 1800 mW - 1.8W (Ta)

额定电压(DC) 200 V 200 V -

额定电流 140 mA 140 mA -

输入电容 430 pF 430 pF -

栅电荷 14.0 nC 14.0 nC -

长度 - - 6.5 mm

宽度 - - 3.5 mm

高度 - - 1.6 mm

封装 SOT-223 SOT-223 TO-261-4

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

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