BC635,112和BC635,116

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC635,112 BC635,116 BC635

描述 SPT NPN 45V 1ASPT NPN 45V 1ANPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3

引脚数 - 3 3

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 1A 1A -

最小电流放大倍数(hFE) 63 @150mA, 2V 63 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V

额定功率(Max) 830 mW 830 mW 1 W

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 830 mW 1 W

额定电压(DC) - - 45.0 V

额定电流 - - 1.00 A

耗散功率 - - 1.00 W

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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