BSP43,115和CZT3019 TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP43,115 CZT3019 TR BSP43

描述 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 1.3 W, 1 A, 30 hFE双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small Signal Transistor NPNSurface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

数据手册 ---

制造商 Nexperia (安世) Central Semiconductor Diotec Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 4 4 -

封装 TO-261-4 TO-261-4 -

频率 100 MHz - -

额定功率 1.35 W - -

针脚数 4 - -

耗散功率 1.3 W 2 W -

增益频宽积 100 MHz - -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @100mA, 5V 100 @150mA, 10V -

额定功率(Max) 1.3 W 2 W -

直流电流增益(hFE) 30 - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1300 mW 2000 mW -

长度 6.7 mm - -

宽度 3.7 mm - -

高度 1.7 mm - -

封装 TO-261-4 TO-261-4 -

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free -

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