RE1E002SPTCL和RSE002P03TL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RE1E002SPTCL RSE002P03TL

描述 晶体管, MOSFET, P沟道, -250 mA, -30 V, 0.9 ohm, -10 V, -2.5 VP 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-3 SOT-23-3

额定电压(DC) - -30.0 V

额定电流 - -200 mA

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.9 Ω 1.4 Ω

极性 P-Channel P-Channel

耗散功率 0.15 W 150 mW

阈值电压 2.5 V 2.5 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 0.25A 200 mA

上升时间 6 ns 5 ns

输入电容(Ciss) 30pF @10V(Vds) 30pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 150 mW 150 mW

下降时间 23 ns 40 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 150mW (Ta) 150 mW

通道数 1 -

工作温度(Min) -55 ℃ -

长度 - 1.6 mm

宽度 - 0.8 mm

高度 - 0.7 mm

封装 SOT-3 SOT-23-3

材质 - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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