对比图
型号 IXTP05N100 IXTU05N100 IXTA05N100HV
描述 IXTP 系列 单 N沟道 1000 V 17 Ohm 40 W 高压 Mosfet - TO-220ABMosfet n-Ch 1000V 750mA To-251Mosfet n-Ch 1kV 750mA To263
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 - -
封装 TO-220-3 TO-251-3 TO-263-3
通道数 1 - -
漏源极电阻 17 Ω - -
极性 N-CH - -
耗散功率 40 W 40W (Tc) 40W (Tc)
阈值电压 4.5 V - -
漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1000 V
漏源击穿电压 1000 V - -
连续漏极电流(Ids) 0.75A - -
上升时间 19 ns - 19 ns
输入电容(Ciss) 260pF @25V(Vds) 260pF @25V(Vds) 260pF @25V(Vds)
下降时间 28 ns - 28 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 40W (Tc) 40W (Tc) 40W (Tc)
长度 10.41 mm - -
宽度 4.83 mm - -
高度 16 mm - -
封装 TO-220-3 TO-251-3 TO-263-3
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
香港进出口证 NLR - -