FQD9N08和FQD9N08TM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD9N08 FQD9N08TM FQD9N08TF

描述 80V N沟道MOSFET 80V N-Channel MOSFETMOSFET N-CH 80V 7.4A DPAKDPAK N-CH 80V 7.4A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DPAK TO-252-3 DPAK

额定电压(DC) - 80.0 V -

额定电流 - 9.30 A -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 210 mΩ -

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 - 2.5 W -

漏源极电压(Vds) 80 V 80 V 80 V

漏源击穿电压 - 80 V -

连续漏极电流(Ids) 7.4A 9.30 A 7.4A

上升时间 - 28 ns -

输入电容(Ciss) - 250pF @25V(Vds) -

下降时间 - 17 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.39 mm -

封装 DPAK TO-252-3 DPAK

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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