对比图
型号 AT-42086-BLK AT-42086-TR1G AT-42086-TR1
描述 Up to 6GHz Medium Power Silicon Bipolar TransistorTrans RF BJT NPN 12V 0.08A 4Pin Case 86 T/R高达6 GHz的中等功率硅双极晶体管 Up to 6 GHz Medium Power Silicon Bipolar Transistor
数据手册 ---
制造商 HP (惠普) Broadcom (博通) Agilent (安捷伦)
分类 双极性晶体管
安装方式 - Surface Mount -
引脚数 - 4 -
封装 - SOT-86 -
耗散功率 - 500 mW -
增益频宽积 - 8000 MHz -
击穿电压(集电极-发射极) - 12 V -
增益 - 9dB ~ 13dB -
最小电流放大倍数(hFE) - 30 @35mA, 8V -
额定功率(Max) - 500 mW -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 500 mW -
长度 - 2.16 mm -
宽度 - 2.16 mm -
高度 - 1.52 mm -
封装 - SOT-86 -
材质 - Silicon -
工作温度 - 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free