AT-42086-BLK和AT-42086-TR1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AT-42086-BLK AT-42086-TR1G AT-42086-TR1

描述 Up to 6GHz Medium Power Silicon Bipolar TransistorTrans RF BJT NPN 12V 0.08A 4Pin Case 86 T/R高达6 GHz的中等功率硅双极晶体管 Up to 6 GHz Medium Power Silicon Bipolar Transistor

数据手册 ---

制造商 HP (惠普) Broadcom (博通) Agilent (安捷伦)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 4 -

封装 - SOT-86 -

耗散功率 - 500 mW -

增益频宽积 - 8000 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) - 12 V -

增益 - 9dB ~ 13dB -

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @35mA, 8V -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 500 mW -

长度 - 2.16 mm -

宽度 - 2.16 mm -

高度 - 1.52 mm -

封装 - SOT-86 -

材质 - Silicon -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

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