MC33201DR2G和MC33201PG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MC33201DR2G MC33201PG MC33201DG

描述 MC 系列 1 V/us 12 V 低压 轨对轨 运算放大器 - SOIC-8低压,满幅输入/输出ON SEMICONDUCTOR  MC33201DG  运算放大器, 单路, 2.2 MHz, 1个放大器, 1 V/µs, 1.8V 至 12V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 DIP-8 SOIC-8

电源电压(DC) - 5.00 V 5.00 V

供电电流 900 µA 900 µA 900 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

共模抑制比 90 dB 60 dB 90 dB

带宽 2.2 MHz 2.2 MHz 2.2 MHz

转换速率 1.00 V/μs 1.00 V/μs 1.00 V/μs

增益频宽积 2.2 MHz 2.2 MHz 2.2 MHz

输入补偿电压 6 mV 6 mV 6 mV

输入偏置电流 80 nA 80 nA 80 nA

工作温度(Max) 105 ℃ 105 ℃ 105 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 2.2 MHz 2.2 MHz 2.2 MHz

电源电压 1.8V ~ 12V 1.8V ~ 12V 1.8V ~ 12V

电源电压(Max) 12 V 12 V 12 V

电源电压(Min) 1.8 V 1.8 V 1.8 V

无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free

输出电流 80 mA - 80 mA

针脚数 8 - 8

共模抑制比(Min) 60 dB - 60 dB

长度 - 9.27 mm 5 mm

宽度 4 mm 6.35 mm 4 mm

高度 - 5.33 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 DIP-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 105℃ -40℃ ~ 105℃ -40℃ ~ 105℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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