MCP602-E/P和MCP602T-E/SN

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MCP602-E/P MCP602T-E/SN TS952IN

描述 MICROCHIP  MCP602-E/P  运算放大器, 双路, AEC-Q100, 2.8 MHz, 2个放大器, 2.3 V/µs, 2.7V 至 6V, DIP, 8 引脚Dual 2.7V Op Amp, E temp8 SOIC 3.9mm(0.15in) T/RSTMICROELECTRONICS  TS952IN  运算放大器, 双路, 3 MHz, 2个放大器, 1 V/µs, 2.7V 至 12V, DIP, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 DIP-8 SOIC-8 DIP-8

电源电压(DC) 2.70V (min) 2.70V (min) 3.00 V

输出电流 ≤30 mA ≤30 mA -

供电电流 230 µA 230 µA 950 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 - 8

共模抑制比 75 dB 75 dB 50 dB

输入补偿漂移 2.50 µV/K 2.50 µV/K -

带宽 2.8 MHz - 3 MHz

转换速率 2.30 V/μs 2.30 V/μs 1.00 V/μs

增益频宽积 2.8 MHz 2.8 MHz 3 MHz

输入补偿电压 700 µV 700 µV 6 mV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 35 nA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

共模抑制比(Min) 75 dB 75 dB 50 dB

电源电压 2.7V ~ 6V - 2.7V ~ 12V

工作电压 - - 2.7V ~ 12V

增益带宽 - - 3 MHz

电源电压(Max) - 5.5 V 12 V

电源电压(Min) - 2.7 V 2.7 V

长度 10.16 mm - 9.27 mm

宽度 0.28 in 3.9 mm 6.35 mm

高度 3.3 mm - 3.3 mm

封装 DIP-8 SOIC-8 DIP-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

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