1N5544D-1TR和JANTX1N5544D-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5544D-1TR JANTX1N5544D-1 1N5544DTR

描述 DO-35 28V 0.5W(1/2W)低电压表面贴装500 mW的雪崩二极管 Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche DiodesDO-35 28V 0.5W(1/2W)

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

容差 - ±1 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

稳压值 28 V 28 V 28 V

额定功率(Max) - 500 mW -

耗散功率 500 mW - 500 mW

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

RoHS标准 - -

含铅标准 - -

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