对比图
型号 PH9025L PH9025L,115
描述 N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FETLFPAK N-CH 25V 66A
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 5
封装 SOT-669 Power-SO8
极性 N-CH N-CH
耗散功率 - 62.5 W
漏源极电压(Vds) 25 V 25 V
连续漏极电流(Ids) 66A 66A
上升时间 - 39 ns
输入电容(Ciss) 1414pF @30V(Vds) 1414pF @30V(Vds)
下降时间 - 15 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 62.5W (Tc)
额定功率(Max) 62.5 W -
封装 SOT-669 Power-SO8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free