RB521S30T1G和PMEG3010EB,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RB521S30T1G PMEG3010EB,115 RB521S30T1

描述 ON SEMICONDUCTOR  RB521S30T1G  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 500 mV, 1 A, 125 °CNXP  PMEG3010EB,115  肖特基整流器, 单, 30 V, 1 A, SOD-523, 2 引脚, 680 mV肖特基二极管 Schottky Barrier Diode

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 肖特基二极管肖特基二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 SOD-523 SOD-523 SOD-523

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 200 mA - 200 mA

输出电流 ≤200 mA - ≤200 mA

正向电压 500mV @200mA 680mV @1A 500mV @200mA

极性 Standard - Standard

热阻 635℃/W (RθJA) 75℃/W (RθJL) 635℃/W (RθJA)

正向电流 200 mA 1 A 0.2 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 1 A 5 A 1 A

正向电流(Max) 200 mA 1000 mA 0.2 A

工作温度(Max) 125 ℃ 150 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃

耗散功率(Max) 200 mW 310 mW 200 mW

针脚数 2 2 -

正向电压(Max) 500 mV 680 mV -

工作结温 - 150℃ (Max) -

负载电流 0.2 A - -

耗散功率 200 mW - -

反向恢复时间 6 ns - -

长度 1.3 mm - 1.2 mm

宽度 0.9 mm - 0.8 mm

高度 0.7 mm - 0.6 mm

封装 SOD-523 SOD-523 SOD-523

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -65℃ ~ 150℃ 55℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -

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