对比图
型号 SI4886DY SI4886DY-T1-E3 SI4886DY-T1-GE3
描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOICMOSFET 30V 13A 2.95W 10mohm @ 10V
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
封装 SO SO-8 SO-8
引脚数 8 - -
耗散功率 1.56 W 1.56W (Ta) 1.56W (Ta)
漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V
耗散功率(Max) - 1.56W (Ta) 1.56W (Ta)
漏源极电阻 10.0 mΩ - -
极性 N-Channel - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 13.0 A - -
上升时间 5.00 ns - -
长度 - 4.9 mm -
宽度 - 3.9 mm -
高度 - 1.75 mm -
封装 SO SO-8 SO-8
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free