对比图
型号 IXFK20N120P IXFX20N120P APT12060LVR
描述 Trans MOSFET N-CH 1.2kV 20A 3Pin(3+Tab) TO-264IXYS SEMICONDUCTOR IXFX20N120P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 1.2 kV, 0.57 ohm, 10 V, 6.5 VPOWER MOS V 1200V 20A 0.6Ω
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Advanced Power Technology
分类 MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole -
引脚数 3 3 -
封装 TO-264-3 TO-247-3 -
耗散功率 780 W 780 W -
漏源极电压(Vds) 1200 V 1.2 kV -
上升时间 45 ns 45 ns -
输入电容(Ciss) 11100pF @25V(Vds) 11100pF @25V(Vds) -
下降时间 70 ns 70 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 780W (Tc) 780W (Tc) -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.57 Ω -
极性 - N-Channel -
阈值电压 - 6.5 V -
漏源击穿电压 - 1200 V -
长度 19.96 mm 16.13 mm -
宽度 5.13 mm 5.21 mm -
高度 26.16 mm 21.34 mm -
封装 TO-264-3 TO-247-3 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -