IXFK20N120P和IXFX20N120P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFK20N120P IXFX20N120P APT12060LVR

描述 Trans MOSFET N-CH 1.2kV 20A 3Pin(3+Tab) TO-264IXYS SEMICONDUCTOR  IXFX20N120P  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 1.2 kV, 0.57 ohm, 10 V, 6.5 VPOWER MOS V 1200V 20A 0.6Ω

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Advanced Power Technology

分类 MOS管中高压MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-264-3 TO-247-3 -

耗散功率 780 W 780 W -

漏源极电压(Vds) 1200 V 1.2 kV -

上升时间 45 ns 45 ns -

输入电容(Ciss) 11100pF @25V(Vds) 11100pF @25V(Vds) -

下降时间 70 ns 70 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 780W (Tc) 780W (Tc) -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.57 Ω -

极性 - N-Channel -

阈值电压 - 6.5 V -

漏源击穿电压 - 1200 V -

长度 19.96 mm 16.13 mm -

宽度 5.13 mm 5.21 mm -

高度 26.16 mm 21.34 mm -

封装 TO-264-3 TO-247-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

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