LMV342IDGKR和LMV342MMX

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LMV342IDGKR LMV342MMX TSV852AIST

描述 CMOS 运算放大器,LMV/TLV 系列### 运算放大器,Texas InstrumentsLMV342MMXTSV85x、TSV85xA、低功率、高精度、通用运算放大器TSV850、TSV851(单)、TSV852、TSV853(双)和 TSV854、TSV855(四路)运算放大器可提供低电压操作,带轨对轨输出摆幅。低功耗:最大 180 μA (5 V) 关闭模式:最大 50 nA,仅适合 TSV850(A)、TSV853(A)、TSV855(A) 低偏置电压:最大 0.8 mV (25°C) 扩展温度范围:-40°C 至 125°C 电源操作范围 2.3 V 至 5.5 V 益带宽产品:1.3 MHz 汽车资格 ### 运算放大器,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) National Semiconductor (美国国家半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 VSSOP-8 MSOP-8 Mini-SO-8

输出电流 - 75.0 mA 70mA @5V

供电电流 107 µA - 130 µA

电路数 2 - 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 56 dB - 72 dB

带宽 - - 1.3 MHz

转换速率 1.00 V/μs 1.00 V/μs 700 mV/μs

增益频宽积 1 MHz 1.00 MHz 1.3 MHz

输入补偿电压 250 µV - 800 µV

输入偏置电流 1 pA - 27 nA

工作温度(Max) 125 ℃ - 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

增益带宽 1 MHz - 1.3 MHz

共模抑制比(Min) 56 dB - 72 dB

电源电压 2.5V ~ 5.5V - 2.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V - 5.5 V

电源电压(Min) 2.5 V - 2.3 V

输入补偿漂移 1.90 µV/K 1.90 µV/K -

长度 3 mm - 5 mm

宽度 3 mm - 4 mm

高度 0.97 mm - 0.85 mm

封装 VSSOP-8 MSOP-8 Mini-SO-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ - -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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