BA12003BF和ULN2003ADR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BA12003BF ULN2003ADR ULN2003D1013TR

描述 高电压,大电流达林顿晶体管阵列 High voltage, high current Darlington transistor arrayTEXAS INSTRUMENTS  ULN2003ADR  双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 500 mA, SOICSTMICROELECTRONICS  ULN2003D1013TR  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 16 16

封装 SOP SOIC-16 SOIC-16

额定电压(DC) - 50.0 V 50.0 V

额定电流 - 500 mA 500 mA

输出接口数 - 7 7

输出电压 - 50 V 50 V

输出电流 - 0.5 A 500 mA

通道数 - 7 7

针脚数 - 16 16

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 50 V 50 V

最小电流放大倍数(hFE) - - 1000 @350mA, 2V

输出电流(Max) - 500 mA 500 mA

直流电流增益(hFE) - - 1000

工作温度(Max) - 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -20 ℃ -40 ℃

输入电压 - 30 V 30 V

驱动器/包 - 7 -

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A -

长度 - 9.9 mm 10 mm

宽度 - 3.91 mm 4 mm

高度 - 1.58 mm 1.65 mm

封装 SOP SOIC-16 SOIC-16

工作温度 - -20℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2014/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR NLR

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