ULN2003AIDR和ULN2003AIN

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ULN2003AIDR ULN2003AIN ULN2003ADR2G

描述 TEXAS INSTRUMENTS  ULN2003AIDR  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, SOICTEXAS INSTRUMENTS  ULN2003AIN  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, DIPON SEMICONDUCTOR  ULN2003ADR2G.  达林顿晶体管 阵列, NPN, X7, 50V, 16-SOIC

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 16 16 16

封装 SOIC-16 PDIP-16 SOIC-16

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V -

额定电流 500 mA 500 mA -

针脚数 16 16 16

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

驱动器/包 7 7 -

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

工作温度(Max) 105 ℃ 105 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -20 ℃

无卤素状态 - - Halogen Free

输出接口数 - 7 7

输出电压 - ≤50.0 V 50 V

输出电流 - - 500 mA

通道数 - - 7

最小电流放大倍数(hFE) - - 1000 @350mA, 2V

最大电流放大倍数(hFE) - - 1000

输出电流(Max) - 500 mA 500 mA

直流电流增益(hFE) - - 1000

输入电压 - - 30 V

宽度 3.91 mm 6.35 mm 4 mm

封装 SOIC-16 PDIP-16 SOIC-16

长度 - 19.3 mm -

高度 - 4.57 mm -

工作温度 -40℃ ~ 105℃ (TA) -40℃ ~ 105℃ (TA) -20℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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