对比图
型号 IXDI602SI IXDI602SITR IXDI602SIA
描述 门驱动器 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2AIXDI 系列 35 V 2 A 2.5 Ohm 低压侧 超快 MOSFET 驱动器 - SOIC-8
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
上升/下降时间 7.5ns, 6.5ns 7.5ns, 6.5ns 7.5ns, 6.5ns
输出接口数 2 2 2
上升时间 - 15 ns 15 ns
下降时间 - 15 ns 15 ns
下降时间(Max) - 15 ns 15 ns
上升时间(Max) - 15 ns 15 ns
工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃
电源电压 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V
输出电流(Max) - - 2 A
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99