BSP16和BSP16T1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP16 BSP16T1 BCP52

描述 PNP型高压晶体管 PNP high-voltage transistor高压晶体管PNP硅 High Voltage Transistors PNP SiliconPNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistors

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管晶体管

基础参数对比

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223

长度 - 6.5 mm -

宽度 - 3.5 mm -

高度 - 1.57 mm -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 - Tape -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead -

额定电压(DC) - -300 V -

额定电流 - -1.00 A -

极性 - PNP -

耗散功率 - 1.5 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 300 V -

集电极最大允许电流 - 1A -

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @50mA, 10V -

额定功率(Max) - 1.5 W -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

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